HS3M R6
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3M R6 |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor Corporation |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
HS3MB-13-F DIODES
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3M R6Taiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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