HS3KB M4G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Deutsch
Artikelnummer: | HS3KB M4G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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6000+ | $0.1234 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800V |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Andere Namen | HS3KB M4G-ND HS3KBM4G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 800V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 800V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
HS3KB M4G Einzelheiten PDF [English] | HS3KB M4G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
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DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3KB M4GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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