HS3M V6G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Deutsch
Artikelnummer: | HS3M V6G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 3A DO214AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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6000+ | $0.1009 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Andere Namen | HS3M V6G-ND HS3MV6G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 1000V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
HS3M V6G Einzelheiten PDF [English] | HS3M V6G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA
75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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Diodes - Rectifiers - Single SMB
DIODE GEN PURP 3A DO214AA
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DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3M V6GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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