HS3KB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3KB R5G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.76 |
10+ | $0.669 |
100+ | $0.5126 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS3K |
HS3KB R5G Einzelheiten PDF [English] | HS3KB R5G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
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Diodes - Rectifiers - Single SMB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
HS3KB R5 TSC
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3KB R5GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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