HS3KB
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3KB |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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6000+ | $0.1375 |
15000+ | $0.1368 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS3K |
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3KBTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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