HS3M
Yangjie Technology
Deutsch
Artikelnummer: | HS3M |
---|---|
Hersteller / Marke: | Yangjie Technology |
Teil der Beschreibung.: | SMC 1000V 3.0A Diodes Rectifie |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.41 |
3000+ | $0.092 |
6000+ | $0.1909 |
15000+ | $0.087 |
30000+ | $0.082 |
60000+ | $0.077 |
120000+ | $0.069 |
300000+ | $0.064 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS3M |
HS3M Einzelheiten PDF [English] | HS3M PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
75NS, 3A, 800V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
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DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3MYangjie Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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