EPC2110
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2110 |
---|---|
Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.26 |
10+ | $2.031 |
100+ | $1.6326 |
500+ | $1.3414 |
1000+ | $1.1114 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.4A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Grundproduktnummer | EPC211 |
EPC2110 Einzelheiten PDF [English] | EPC2110 PDF - EN.pdf |
IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
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TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2110EPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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