EPC2106ENGRT
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2106ENGRT |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2106ENGRT Einzelheiten PDF [English] | EPC2106ENGRT PDF - EN.pdf |
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2106ENGRTEPC |
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Zielpreis (USD)
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