EPC2105
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2105 |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $8.75 |
10+ | $7.901 |
100+ | $6.5415 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A, 38A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2105 Einzelheiten PDF [English] | EPC2105 PDF - EN.pdf |
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
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TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
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GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
GANFET 2NCH 100V 23A DIE
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GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2105EPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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