EPC2108
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2108 |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.76 |
10+ | $1.579 |
100+ | $1.2693 |
500+ | $1.0428 |
1000+ | $0.8641 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | 9-BGA (1.35x1.35) |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | 9-VFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V, 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A, 500mA |
Konfiguration | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2108 Einzelheiten PDF [English] | EPC2108 PDF - EN.pdf |
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
GANFET 2NCH 100V 23A DIE
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
2024/06/5
2024/09/11
2024/11/4
2024/06/19
EPC2108EPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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