EPC2106
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2106 |
---|---|
Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.73 |
10+ | $1.558 |
100+ | $1.2524 |
500+ | $1.029 |
1000+ | $0.8526 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2106 Einzelheiten PDF [English] | EPC2106 PDF - EN.pdf |
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
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TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
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TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
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GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
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2024/04/14
2024/04/5
2024/04/11
2024/08/25
EPC2106EPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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