EPC2102
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2102 |
---|---|
Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $8.75 |
10+ | $7.901 |
100+ | $6.5415 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2102 Einzelheiten PDF [English] | EPC2102 PDF - EN.pdf |
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GANFET 2NCH 100V 23A DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2102EPC |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|