EPC2100ENGRT
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2100ENGRT |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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500+ | $4.9476 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2100ENGRT Einzelheiten PDF [English] | EPC2100ENGRT PDF - EN.pdf |
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
TRANS GAN 170V .009 OHM BUMP DIE
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2100ENGRTEPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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