EPC2100ENGRT
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2100ENGRT |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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500+ | $4.9476 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2100ENGRT Einzelheiten PDF [English] | EPC2100ENGRT PDF - EN.pdf |
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2100ENGRTEPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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