EPC2101
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2101 |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $9.20 |
10+ | $8.308 |
100+ | $6.8779 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.5A, 38A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | EPC210 |
EPC2101 Einzelheiten PDF [English] | EPC2101 PDF - EN.pdf |
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
2024/10/18
2024/09/20
2024/05/30
2024/06/27
EPC2101EPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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