EPC2070
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2070 |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN DIE 100V .022OHM |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.52 |
10+ | $1.363 |
100+ | $1.0626 |
500+ | $0.8778 |
1000+ | $0.693 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 3A, 5V |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 386 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Grundproduktnummer | EPC20 |
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GANFET N-CH 40V 29A DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
TRANS GAN 170V .009 OHM BUMP DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
GANFET N-CH 100V 48A DIE
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2070EPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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