HS3K M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3K M6G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS3K |
HS3K M6G Einzelheiten PDF [English] | HS3K M6G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Diodes - Rectifiers - Single SMC
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Diodes - Rectifiers - Single SMB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
HS3JB R5 TSC
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3K M6GTaiwan Semiconductor Corporation |
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Zielpreis (USD)
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