S1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1JLSHRVG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.46 |
10+ | $0.344 |
100+ | $0.2146 |
500+ | $0.1468 |
1000+ | $0.1129 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1.2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | SOD-123HE |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | SOD-123H |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1.2A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | S1J |
S1JLSHRVG Einzelheiten PDF [English] | S1JLSHRVG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODES SMA
TAIWAN SEMICONDUCTOR SOD123
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
TSM SMD
1.2A, 600V, STANDARD RECOVERY RE
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
1.2A, 600V, STANDARD RECOVERY RE
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
TSC SOD-123
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1JLSHRVGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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