S1JM RSG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1JM RSG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.43 |
10+ | $0.365 |
100+ | $0.2726 |
500+ | $0.2142 |
1000+ | $0.1655 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Micro SMA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 780 ns |
Verpackung / Gehäuse | 2-SMD, Flat Lead |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S1J |
S1JM RSG Einzelheiten PDF [English] | S1JM RSG PDF - EN.pdf |
DIODES SMA
TAIWAN SEMICONDUCTOR SOD123
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1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1JM RSGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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