S1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1JLS RVG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.43 |
10+ | $0.352 |
100+ | $0.2396 |
500+ | $0.1797 |
1000+ | $0.1348 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1.2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | SOD-123HE |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | SOD-123H |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1.2A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | S1J |
S1JLS RVG Einzelheiten PDF [English] | S1JLS RVG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
1A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
TAIWAN SEMICONDUCTOR SOD123
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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1.2A, 600V, STANDARD RECOVERY RE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1JLS RVGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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