SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | SCTWA40N120G2V |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | DISCRETE |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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600+ | $15.0645 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA |
Vgs (Max) | +18V, -5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 Long Leads |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V |
Verlustleistung (max) | 278W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1233 pF @ 800 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
Grundproduktnummer | SCTWA40 |
SICFET N-CH 650V 45A TO247
SUPER DIP
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
DISCRETE
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
FM SOP-14
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
DISCRETE
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
SUPER DIP
DISCRETE
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
DISCRETE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SCTWA40N120G2VSTMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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