SCTWA20N120
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | SCTWA20N120 |
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Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $17.96 |
10+ | $16.511 |
25+ | $15.826 |
100+ | $13.9442 |
250+ | $13.2598 |
500+ | $12.705 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA (Typ) |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | HiP247™ Long Leads |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 239mOhm @ 10A, 20V |
Verlustleistung (max) | 175W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Grundproduktnummer | SCTWA20 |
SCTWA20N120 Einzelheiten PDF [English] | SCTWA20N120 PDF - EN.pdf |
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
DISCRETE
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
ST QFP
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
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SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
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SICFET N-CH 650V 90A HIP247
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SCTWA20N120STMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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