SCTWA50N120
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | SCTWA50N120 |
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Hersteller / Marke: | ST |
Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $38.53 |
10+ | $35.538 |
25+ | $33.9404 |
100+ | $30.3468 |
250+ | $29.9475 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | HiP247™ |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
Verlustleistung (max) | 318W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65A (Tc) |
Grundproduktnummer | SCTWA50 |
SCTWA50N120 Einzelheiten PDF [English] | SCTWA50N120 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SCTWA50N120STMicroelectronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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