SCTWA35N65G2VAG
STMicroelectronics
Deutsch
Artikelnummer: | SCTWA35N65G2VAG |
---|---|
Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
Teil der Beschreibung.: | SICFET N-CH 650V 45A TO247 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
Vgs (Max) | +20V, -5V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 Long Leads |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 20A, 20V |
Verlustleistung (max) | 208W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 45A (Tc) |
Grundproduktnummer | SCTWA35 |
FM SOP-14
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
DISCRETE
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
SUPER DIP
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
DISCRETE
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
DISCRETE
DISCRETE
DISCRETE
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|