APT68GA60B
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APT68GA60B |
---|---|
Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 121A 520W TO-247 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $8.09 |
100+ | $6.9958 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
Testbedingung | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 21ns/133ns |
Schaltenergie | 715µJ (on), 607µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] |
Serie | POWER MOS 8™ |
Leistung - max | 520 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | PT |
Gate-Ladung | 298 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 202 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 121 A |
Grundproduktnummer | APT68GA60 |
APT68GA60B Einzelheiten PDF [English] | APT68GA60B PDF - EN.pdf |
IGBT 600V 121A 520W TO-247
APT New
IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 600V 100A 833W TMAX
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
IGBT 600V 121A 520W TO-264
IGBT 600V 198A 833W TO264
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
IGBT 1200V 160A 961W TO247
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 1200V 160A 961W TO264
APT New
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
IGBT 600V 130A 431W SOT227
IGBT 650V 134A 595W TO-247
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() APT68GA60BMicrochip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|