APT66F60B2
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APT66F60B2 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
40+ | $16.79 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] |
Serie | POWER MOS 8™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 33A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1135W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13190 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
Grundproduktnummer | APT66F60 |
APT66F60B2 Einzelheiten PDF [English] | APT66F60B2 PDF - EN.pdf |
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
IGBT 600V 100A 833W TMAX
APT64GA120B APT
IGBT 600V 121A 520W TO-264
IGBT 1200V 160A 961W TO247
IGBT 900V 117A 500W TO-247
APT New
IGBT 600V 198A 833W TO264
IGBT 600V 121A 520W TO-247
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
APT New
IGBT 900V 117A 500W TO-264
IGBT 600V 121A 520W TO-247
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
IGBT 900V 117A 500W TO247
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() APT66F60B2Microchip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|