APT6M100K
Microsemi Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | APT6M100K |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 1000V 6A TO220 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 [K] |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 225W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1410 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Tc) |
APT6M100K Einzelheiten PDF [English] | APT6M100K PDF - EN.pdf |
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2024/04/18
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2023/12/20
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