APT65GP60B2G
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | APT65GP60B2G |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 100A 833W TMAX |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $18.11 |
100+ | $15.6408 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
Testbedingung | 400V, 65A, 5Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 30ns/91ns |
Schaltenergie | 605µJ (on), 896µJ (off) |
Serie | POWER MOS 7® |
Leistung - max | 833 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 Variant |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | PT |
Gate-Ladung | 210 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 250 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 A |
Grundproduktnummer | APT65GP60 |
APT65GP60B2G Einzelheiten PDF [English] | APT65GP60B2G PDF - EN.pdf |
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