Name: Vishay Siliconix IRFD120
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFD120
Availability: InStock
Rating: 5 (500 reviews)

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Vishay Siliconix IRFD120

Artikelnummer:

IRFD120

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Datenblätte:

1.IRFD120.pdf ···: 2D -Zeichnungen
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf IRFD120.pdf

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix IRFD120 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFD120.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	4-HVMDIP
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 10V
Verlustleistung (max)	1.3W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.3A (Ta)
Grundproduktnummer	IRFD120
IRFD120 Einzelheiten PDF [English]	IRFD120 PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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