RS1JHE3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | RS1JHE3/5AT |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS1 |
RS1JHE3/5AT Einzelheiten PDF [English] | RS1JHE3/5AT PDF - EN.pdf |
250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERY
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE, FAST, 1A, 600V
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128
250NS, 1A, 600V, FAST RECOVERY R
DIODE, FAST, 1A, 600V
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD128
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1JHE3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|