RS1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1JHR3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS1J |
RS1JHR3G Einzelheiten PDF [English] | RS1JHR3G PDF - EN.pdf |
250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERY
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
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DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
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DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1JHR3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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