RS1JL
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1JL |
---|---|
Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERY |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
20000+ | $0.0732 |
30000+ | $0.0685 |
50000+ | $0.0681 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Verpackung / Gehäuse | SOD-123 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 800mA |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
RS1JL Einzelheiten PDF [English] | RS1JL PDF - EN.pdf |
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1JLTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|