S1DLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1DLHRTG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.8 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S1D |
S1DLHRTG Einzelheiten PDF [English] | S1DLHRTG PDF - EN.pdf |
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
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DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1DLHRTGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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