S1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1DLHMTG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 1.8 µs |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | S1D |
S1DLHMTG Einzelheiten PDF [English] | S1DLHMTG PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
1A, 200V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1DLHMTGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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