S1DLSHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | S1DLSHRQG |
---|---|
Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1.2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | SOD-123HE |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung / Gehäuse | SOD-123H |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1.2A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | S1D |
S1DLSHRQG Einzelheiten PDF [English] | S1DLSHRQG PDF - EN.pdf |
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GP REV 200V 1A SOD123W
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
RELAY TIME DELAY
DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
D-RING KIT FOR FULL LENGTH POU B
DIODE GP 200V 1.2A SOD123HE
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() S1DLSHRQGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|