RS1JL RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | RS1JL RQG |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 600V 800MA SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 800 mA |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 250 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 800mA |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS1J |
RS1JL RQG Einzelheiten PDF [English] | RS1JL RQG PDF - EN.pdf |
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
250NS, 0.8A, 600V, FAST RECOVERY
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
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DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
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DIODE GP 600V 800MA SUB SMA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS1JL RQGTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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