HS3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3J V7G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS3J |
HS3J V7G Einzelheiten PDF [English] | HS3J V7G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3J V7GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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