HS3J V6G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Deutsch
Artikelnummer: | HS3J V6G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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6000+ | $0.1009 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Andere Namen | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
HS3J V6G Einzelheiten PDF [English] | HS3J V6G PDF - EN.pdf |
SMC
HS3J T/R Original
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
HS3JB R5 TSC
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Diodes - Rectifiers - Single SMB
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
SMC 600V 3.0A Diodes Rectifier
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS3J V6GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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