HS3J R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS3J R7G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS3J |
HS3J R7G Einzelheiten PDF [English] | HS3J R7G PDF - EN.pdf |
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
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![]() HS3J R7GTaiwan Semiconductor Corporation |
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Zielpreis (USD)
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