ES1AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ES1AHM2G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ES1A |
ES1AHM2G Einzelheiten PDF [English] | ES1AHM2G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES1AHM2GTaiwan Semiconductor Corporation |
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Zielpreis (USD)
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