JAN1N5550US
Microsemi Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | JAN1N5550US |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $13.7071 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | Standard |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 3A |
Spannung - Durchschlag | D-5B |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
RoHS Status | Bulk |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Widerstand @ If, F | - |
Polarisation | SQ-MELF, B |
Andere Namen | 1086-19411 1086-19411-MIL |
Betriebstemperatur - Anschluss | 2µs |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | JAN1N5550US |
Expanded Beschreibung | Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B |
Diodenkonfiguration | 1µA @ 200V |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1.2V @ 9A |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 200V |
Kapazität @ Vr, F | -65°C ~ 175°C |
JAN1N5550US Einzelheiten PDF [English] | JAN1N5550US PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
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