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Microchip Technology JAN1N5551US
| Artikelnummer: | JAN1N5551US |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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- Spezifikationen
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Microchip Technology JAN1N5551US Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments JAN1N5551US.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 9 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 400 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse D-5B Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Military, MIL-PRF-19500/420 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 2 µs Verpackung / Gehäuse SQ-MELF, E Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 400 V Strom - Richt (Io) 3A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 1N5551 JAN1N5551US Einzelheiten PDF [English] JAN1N5551US PDF - EN.pdf -
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