JAN1N5551US
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | JAN1N5551US |
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Hersteller / Marke: | Microsemi |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $8.79 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 9 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 400 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | D-5B |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2 µs |
Verpackung / Gehäuse | SQ-MELF, E |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 400 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | 1N5551 |
JAN1N5551US Einzelheiten PDF [English] | JAN1N5551US PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 800V 3A D-5B
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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