HS1DL
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS1DL |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor Corporation |
Teil der Beschreibung.: | 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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20000+ | $0.2228 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | SOD-123 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
HS1DL Einzelheiten PDF [English] | HS1DL PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1DLTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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