HS1DH
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS1DH |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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15000+ | $0.0916 |
30000+ | $0.0857 |
75000+ | $0.0852 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1DHTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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