HS1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | HS1DL M2G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | HS1D |
HS1DL M2G Einzelheiten PDF [English] | HS1DL M2G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
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DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HS1DL M2GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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