EPC8005ENGR
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC8005ENGR |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $15.30 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 29pF @ 32.5V |
Spannung - Durchschlag | Die |
VGS (th) (Max) @ Id | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie | eGaN® |
RoHS Status | Tray |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9A (Ta) |
Polarisation | Die |
Andere Namen | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer | EPC8005ENGR |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.22nC @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
FET-Merkmal | N-Channel |
Expanded Beschreibung | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Beschreibung | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65V |
Kapazitätsverhältnis | - |
EPC8005ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8005ENGR PDF - EN.pdf |
GANFET N-CH 100V 4A DIE
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC8005ENGREPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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