EPC8002ENGR
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC8002ENGR |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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100+ | $15.385 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 21pF @ 32.5V |
Spannung - Durchschlag | Die |
VGS (th) (Max) @ Id | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie | eGaN® |
RoHS Status | Tray |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2A (Ta) |
Polarisation | Die |
Andere Namen | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer | EPC8002ENGR |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.14nC @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
FET-Merkmal | N-Channel |
Expanded Beschreibung | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Beschreibung | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65V |
Kapazitätsverhältnis | - |
EPC8002ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8002ENGR PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC8002ENGREPC |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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