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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
FQA30N40 Image

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

FQA30N40

Hersteller-Teilenummer: FQA30N40
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
Datenblätte: FQA30N40.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 10361 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr.
Anzahl
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vorrätig: 10361

Anzahl Einzelpreis
1+ $7.22
10+ $6.449
450+ $4.7726
900+ $3.8697
1350+ $3.6117
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  • ArtikelnummerFQA30N40
  • HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
  • BeschreibungMOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
  • Teilstatus10361 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
  • Vgs (Max)±30V
  • TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-GehäuseTO-3PN
  • SerieQFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs140 mOhm @ 15A, 10V
  • Verlustleistung (max)290W (Tc)
  • VerpackungTube
  • Verpackung / GehäuseTO-3P-3, SC-65-3
  • Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartThrough Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit5 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds4400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120nC @ 10V
  • Typ FETN-Channel
  • FET-Merkmal-
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)400V
  • detaillierte BeschreibungN-Channel 400V 30A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C30A (Tc)
  • FQA30N40 Einzelheiten PDF [English]FQA30N40 PDF - EN.pdf
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