SE30PABHM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30PABHM3/I
| Artikelnummer: | SE30PABHM3/I |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30PABHM3/I Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SE30PABHM3/I.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.16 V @ 3 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-221BC (SMPA) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Rückwärts-Erholzeit (Trr) 1.3 µs Verpackung / Gehäuse DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 3A Kapazität @ Vr, F 13pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer SE30 SE30PABHM3/I Einzelheiten PDF [English] SE30PABHM3/I PDF - EN.pdf -
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