US1M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | US1M R3G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.51 |
10+ | $0.436 |
100+ | $0.3256 |
500+ | $0.2558 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | US1M |
US1M R3G Einzelheiten PDF [English] | US1M R3G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
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VISHAY SMA
US1M R3 TCS
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() US1M R3GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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