US1M M2G
TSC (Taiwan Semiconductor)
Deutsch
Artikelnummer: | US1M M2G |
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Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1A DO214AC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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15000+ | $0.0603 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
Andere Namen | US1M M2G-ND US1MM2G |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
detaillierte Beschreibung | Diode Standard 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 1000V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
US1M M2G Einzelheiten PDF [English] | US1M M2G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
1000, 1A, 75NS, SMA, ULTRA FAST
DIODE GEN PURP 800V 1A SMA
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
TOSHIBA 2010+RoHS
Ultra Fast DIODE 1A 1000V SMA
DIODE GP 1KV 1A DO214AC SMA
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2024/06/6
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2023/12/20
![]() US1M M2GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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